Die Hochleistungs “Ferroelectric Random Access Memory”-Chips haben eine Lebensdauer von mindestens 100 000 Milliarden Schreiboperationen und eine Vorratsdatenspeicherung von 10 Jahren. Dies stellt sicher, dass keine Daten oder Standards verloren gehen. Hierfür wird keine zusätzliche Batterie benötigt. All dies ist möglich durch die Verwendung einer der fortschrittlichsten Speicherchip- Technologien.
